Numéro de produit du fabricant:
TSM60N380CI C0G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60N380CI C0G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventaire:
12949919
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SOUMETTRE
TSM60N380CI C0G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1040 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TSM60N380CI C0G-DG
TSM60N380CIC0G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHA12N60E-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
923
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHA12N60E-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
TYPE DE SUBSTITUT
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